四大製程有哪些？

晶片製造四大製程

晶片製造是一項涉及多道複雜程序的精密工藝。這些程序通常被歸類為四大關鍵製程：添加、移除、熱處理和精細圖形化。這些製程相互配合，在矽晶片上構建出複雜的積體電路結構。

添加

添加製程涉及在晶片上沉積材料，形成電晶體、互連和電容等電子元件。常用的沉積技術包括：

• 化學氣相沉積 (CVD)
• 物理氣相沉積 (PVD)
• 原子層沉積 (ALD)

移除

移除製程用於去除晶片上的不需要的材料。最常見的移除技術是蝕刻，它使用化學藥劑或等離子體去除特定區域的材料。其他移除技術包括：

• 離子束蝕刻 (IBE)
• 反應離子蝕刻 (RIE)
• 濕式蝕刻

熱處理

熱處理製程涉及將晶片加熱到特定溫度，以改變其材料特性。熱處理可以改善元件的電氣性能、減少晶片應力並激活摻雜劑。常見的熱處理技術包括：

• 退火
• 退火
• 快速熱處理 (RTA)

精細圖形化

精細圖形化製程用於在晶片上定義電路元件和互連的精確模式。這涉及使用光刻、蝕刻和沉積等技術。光刻是一種使用紫外線光將設計圖案轉移到晶片上的技術。

通過將這些關鍵製程組合起來，晶片製造商能夠在矽晶片上構建出具有極高複雜性和精度的積體電路。這些積體電路構成了現代電子設備的基礎，從智慧型手機到伺服器和超級電腦。

#半導體#晶圓製造#製程技術