半導體幾大製程?

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晶片製造始於矽晶圓,歷經光學顯影、高溫處理、薄膜沉積、離子植入及蝕刻等複雜前段工序。後續進行化學研磨、嚴格檢測,最終完成封裝與測試,方能產出可用晶片。

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半導體製造的四大製程

半導體晶片的製造是一個複雜且高度技術化的過程,涉及多個關鍵製程,大致可分為四大階段:

1. 前段製程:

  • 光學顯影:利用光罩將電路圖案轉印到矽晶圓上。
  • 高溫處理:利用高溫驅動化學反應,形成半導體薄膜。
  • 薄膜沉積:利用物理或化學方式沉積各種材料於晶圓表面,形成電極、絕緣層等結構。
  • 離子植入:將高能離子注入晶圓,修改其電氣性質。
  • 蝕刻:利用化學或物理方法去除不需要的材料,形成電路圖案。

2. 後段製程:

  • 化學研磨:平整晶圓表面,去除多餘的薄膜。
  • 嚴格檢測:使用各種技術驗證晶片功能和缺陷。

3. 封裝:

  • 將晶片封裝在保護性外殼內,提供電氣連接和散熱功能。

4. 測試:

  • 對封裝後晶片進行全面的電氣測試,確保其符合規格要求。

經過這四大製程,晶片才能從一開始的矽晶圓轉變為可用於電子產品中的完整組件。